Помощь в оформлении сертификата на резистор– услуги сертификации

Помощь в оформлении сертификата на резистор– услуги сертификации Сертификаты
На чтение 23 мин. Просмотров 9 Опубликовано
Содержание
  1. Tранзисторы (всё что вы хотели знать, но боялись спросить)
  2. Аналоги
  3. Графические иллюстрации характеристик
  4. Добровольный сертификат соответствия на резистор
  5. Зарубежное производство
  6. Какие документы необходимы для реализации?
  7. Корпус и цоколевка
  8. Модификации (версии) транзисторов серии 13003
  9. Области применения
  10. Отечественное производство
  11. Предельные эксплуатационные характеристики
  12. Предназначение
  13. Процедура оформления
  14. Схемы тестирования временных параметров транзистора
  15. Характерные особенности
  16. Электрические параметры

Tранзисторы (всё что вы хотели знать, но боялись спросить)

Полупроводниковые транзисторы делятся на биполярные и полевые. Первые гораздо более распространены в электронике. Поэтому начнем разбираться с работой биполярного транзистора именно с него.

Работа транзистора – устройство и обозначение.

Условно биполярный транзистор можно нарисовать в виде пластины полупроводника с меняющимися областями разной проводимости, состоящие из двух p-n переходов. Причем крайние области пластины обладают проводимостью одного типа, а средняя область противоположного типа, каждая из областей имеет свой персональный вывод. В зависимости от чередования этих областей транзисторы бывают p-n-p и n-p-n проводимости, соответственно.

А если взять и прикрыть одну любую часть транзистора, то у нас получится полупроводник с одним p-n переходом или диод. Отсюда напрашивается вывод, что биполярный транзистор условно можно представить в виде двух полупроводников с одной общей зоной, соединенных встречно друг к другу.

Часть транзистора, назначением которой является инжекция носителей зарядов в базу называется эмиттером, и соответствующий p-n переход эмиттерным, а та часть элемента, назначение которой заключается в выводе или экстракции носителей заряда из базы, получила название коллектор, и p-n переход коллекторный. Общую зону назвали базой. Различие в обозначениях разных структур состоит лишь в направлении стрелки эмиттера: в p-n-p она направлена в сторону базы, а в n-p-n наоборот, от базы.

Работа транзистора – коротко об технологии изготовления.

В начальный период развития полупроводниковой электроники их изготавливали только из германия по технологии вплавления примесей, поэтому их назвали сплавными. Например, в основе кристалл германия и в него вплавляю маленькие кусочки индия. Атомы индия проникаю в тело германиевого кристалла, создают в нем две области – коллектор и эмиттер. Между ними остается очень тонкая в несколько микрон прослойка полупроводника противоположного типа – база. А чтобы спрятать кристалл от света его прячут в корпус. На рисунке показано, что к металлическому диску приварен кристаллодержатель, являющийся выводом базы, а снизу диска имеется ее наружный проволочный вывод.

Внутренние выводы коллектора и эмиттера приварены к проводникам внешних электродов. С развитием электроники приступили к обработке кристаллов кремния, и изобрели кремниевые приборы, практически полностью отправившие на пенсию германиевые транзисторы. Они способны работать с более высокими температурах, в них ниже значение обратного тока и более высокое напряжение пробоя. Основным методом изготовления является планарная технологи. У таких транзисторов p-n переходы располагаются в одной плоскости. Принцип метода основывается на диффузии или вплавлении в пластину кремния примеси, которая может быть в газообразной, жидкой или твердой составляющей. При нагрева до строго фиксированной температуры осуществляется диффузия примесных элементов в кремний.

В данном случае один из шариков создает тонкую базовую область, а другой эмиттерную. В результате в кремнии образуются два p-n перехода. По этой технологии производят в заводских условиях наиболее распространенные типы кремниевых транзисторов. Кроме того для изготовления транзисторных структур широко применяются комбинированные методы: сплавление и диффузия или различные варианты диффузии, например, двусторонняя или двойная односторонняя.

Работа транзистора в режиме диода при прямом подключении.

Проведем практический эксперимент, для этого нам потребуется любой транзистор и лампочка накаливания из старого фонарика и чуть-чуть монтажного провода для того, чтоб мы могли собрать эту схему.

Работа транзистора практический опыт для начинающих.

Лампочка светится потому, что на коллекторный переход поступает прямое напряжение смещения, которое отпирает коллекторный переход и через него течет коллекторный ток Iк. Номинал его зависит от сопротивления нити лампы и внутреннего сопротивления батарейки или блока питания. А теперь представим эту схему в структурном виде:

Так как в области N основными носителями заряда являются электроны, они проходя потенциальный барьер p-n переход, попадают в дырочную область p-типа и становятся неосновными носителями заряда, где начинают поглощаться основными носителями дырками. Таким же и дырки из коллектора, стремятся попасть в область базы и поглощаются основными носителями заряда электронами. Так как база к минусу источника питания, то на нее будет поступать множество электронов, компенсируя потери из области базы. А коллектора, соединенный с плюсом через нить лампы, способен принять такое же число, поэтому будет восстанавливаться концентрация дырок. Проводимость p-n перехода существенно возрастет и через коллекторный переход начнет идти ток коллектора Iк. И чем он будет выше, тем сильнее будет гореть лампочка накаливания. Аналогичные процесс протекают и в цепь эмиттерного перехода. На рисунке показан вариант подключения схемы для второго опыта.

Работа транзистора при обратном включении p-n перехода Проведем очередной практический опыт и подключим базу транзистора к плюсу БП. Лампочка не загорается, так как p-n переход транзистора мы подсоединили в обратном направлении и сопротивление перехода резко возросло и через него следует лишь очень маленький обратный ток коллектора Iкбо не способный зажечь нить лампочки.

Работа транзистора в режиме переключения Осуществим, еще один интересный эксперимент подключим лампочку в соответствии с рисунком. Лампочка не светится, давайте разберемся почему.

Если приложено напряжение к эмиттеру и коллектору, то при любой полярности источника питания один из переходов будет в прямом, а другой в обратном включении и поэтому ток течь не будет и лампочка не горит.

Из структурной схемы очень хорошо видно, что эмиттерный переход смещен в прямом направлении и открыт и ожидает прием свободных электронов. Коллекторный переход, наоборот, подсоединен в обратном направлении и мешает попадать электронам в базу. Между коллектором и базой образуется потенциальный барьер, который будет оказывать току большое сопротивление и лампа гореть не будет. Добавим к нашей схеме всего одну перемычку, которой соединим эмиттер и базу, но лампочка все равно не горит.

Тут, в принципе, все понятно при замыкании базы и эмиттера перемычкой коллекторный переход превращается в диод, на который поступает обратное напряжение смещение. Установим вместо перемычки сопротивление Rб номиналом 200 – 300 Ом, и еще один источник питания на 1,5 вольта. Минус его соединим через Rб с базой, а плюс с эмиттером. И свершилось чудо, лампочка засветилась.

Лампа засветилась потому, что мы подсоединили дополнительный источник питания между базой и эмиттером, и тем самым подали на эмиттерный переход прямое напряжение, что привело к его открытию и через него потек прямой ток, который отпирает коллекторный переход транзистора. Транзистор открывается и через него течет коллекторный ток Iк, во много раз превышающий ток эмиттер-база. И поэтому этому току лампочка засветилась. Если же мы изменим полярность дополнительного источника питания и на базу подадим плюс, то эмиттерный переход закроется, а за ним и коллекторный. Через транзистор потечет обратный Iкбо и лампочка перестанет гореть. Основная функция резистора Rб ограничивать ток в базовой цепи. Если на базу поступит все 1,5 вольта, то через переход пойдет слишком большой ток, в результате которого произойдет тепловой пробой перехода и транзистор может сгореть. Для германиевых транзисторов отпирающее напряжение должно быть около 0,2 вольта, а для кремниевых 0,7 вольта. Обратимся к структурной схеме: При подаче дополнительного напряжения на базу открывается эмиттерный переход и свободные дырки из эмиттера взаимопоглощаются с электронами базы, создавая прямой базовый ток Iб.

Но не все дырки, попадая в базу, рекомбинируются с электронами. Так как, область базы достаточно узкая, поэтому лишь незначительная часть дырок поглощается электронами базы. Основной объем дырок эмиттера проскакивает базу и попадает под более высокий уровень отрицательного напряжения в коллекторе, и вместе с дырками коллектора текут к его отрицательному выводу, где и взаимопоглощается электронами от основного источника питания GB. Сопротивление коллекторной цепи эмиттер-база-коллектор резко падает и в ней начинает течь прямой ток коллектора Iк во много раз превышающий ток базы Iб цепи эмиттер-база. Чем выше уровень отпирающего напряжения на базе, тем выше количество дырок попадает из эмиттера в базу, тем выше значение тока в коллекторе. И, наоборот, чем ниже отпирающее напряжение на базе, тем ниже ток в коллекторной цепи. В этих экспериментах начинающего радиолюбителя по принципам работы транзистора, он находится в одном из двух состояний: открыт или закрыт. Переключение его из одного состояния в другое осуществляется под действием отпирающего напряжения на базе Uб. Этот режим работы транзистора в электроники получил название ключевым. Он используют в приборах и устройствах автоматики.

Кодовая и цветовая маркировка транзисторов

Отечественные транзисторы с корпусами малых размеров маркируются цветовой или кодовой маркировкой и лишь в редких случаях марка транзистора наносится полностью, как есть. При ремонте бытовой аппаратуры можно столкнуться с цветовой или кодовой маркировкой и для замены транзистора необходимо определить марку транзистора, сделать это можно и с помощью программы кодовой и цветовой маркировки транзисторов, сейчас мы рассмотрим как это сделать с помощью справочника.

Про сертификаты:  Отзыв на правовую экспертизу от ДомКлик – отзыв о СберБанке от "Danguzof87" | Банки.ру

Кодово-цветовая маркировка транзисторов в корпусе КТ-27 (ТО-126)

Далее смотрим в таблицу ниже и находим строку которая соответствует кодово-цветовой маркеровке вашего транзистора.

Таблица определения марки транзистора по кодо-цветовой маркировке.

Когда нашли значок который изображен на корпусе определяемся с маркой транзистора, его марка должна быть одной из этих — КТ814(А-Г), КТ815(А-Г),КТ816(А-Г), КТ817(А-Г), КТ638(А,Б), КТ9115(А,Б), КУ112, КТ940(А-В), КТ646А, КТ646Б, КТ972А, КТ972Б, КТ973А, КТ973Б. Обратите внимание, что среди марок транзисторов есть и тиристор КУ112.

Таблица определения года выпуска транзистора по кодовой маркировке.

Таблица определения месяца выпуска транзистора по кодовой маркировке.

Цветовая маркировка транзисторов в корпусе КТ-26

Цветовой маркировкой, как показано на рисунке ниже, обазначаются транзисторы КТ326, КТ337, КТ345, КТ349, КТ350, КТ351, КТ352, КТ363, КТ645, КТ3107. Кроме марки данных транзисторов на корпусе указываются год и месяц выпуска транзистора.

Ниже приведена цветовая маркировка транзисторов КТ203, КТ209, КТ313, КТ336, КТ339, КТ342, КТ502, КТ503, КТ3102. Маркируются транзисторы данных марок всего двумя точками. В данном обозначении месяц и год выпуска отсутствуют.

Нестандартная цветовая маркировка транзисторов.

Иногда транзисторы выпускались с нестандартной цветовой маркировкой, некоторые примеры приведены ниже:

Кодовая маркировка транзисторов в корпусе КТ-26.

Кодовая маркировка применяется к транзисторам в корпусе КТ-26 следующих марок — КТ203, КТ208, КТ209, КТ313, КТ326, КТ339, КТ342, КТ502, КТ503, КТ3102, КТ3107, КТ3157, КТ3166, КТ6127, КТ680, КТ681, КТ698, КП103. Как видите марки транзисторов с кодовой маркировкой включают все марки с цветовой, но не наоборот. Связано это с тем, что кодовая появилась позже и к тому времени некоторые транзисторы уже не выпускались. Маркировка на транзисторы может наносится как с годом и месяцем выпуска так и без них.

Некоторые примеры кодовой маркировки.

Нестандартная кодовая кодировка транзисторов.

Маркировка SMD транзистора BC847A.

Возможны ситуации, когда в один и тот же корпус фирмы-производители под одной и той же маркировкой помещают разные приборы, например, фирма PHILIPS помещает в корпус типа SOT323 NPN-транзистор типа BC818W и маркирует его кодом 6H, а фирма MOTOROLA в такой же корпус с маркировкой 6H помещает PNP-транзистор типа MUN5131T1. Такая же ситуация встречается и внутри одной фирмы. Например, в корпусе типа SOT23 у фирмы SIEMENS под маркировкой 1А выпускаются транзисторы BC846A и SMBT3904, обладающие разными параметрами.

Различить такие приборы установленные на плате можно только по окружающим их компонентам и соответственно – схеме включения.

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, предназначенные для использования в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах, схемах управления электродвигателями и др., аппаратуре общего применения.

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 9. Область безопасной работы транзистора при резистивной нагрузке.

Предельные токи ограничены: значением максимального постоянного тока IC = 1,5 А и максимального импульсного тока ICM = 3,0 А.

При этих значениях тока разрушаются паяные соединения подводящих проводов со слоями п/п структуры. Показано штрихпунктирной линией.

Предельные напряжения ограничены максимальным рабочим напряжением UCEO(SUS) = 400 В.

Общее тепловое разрушение структуры наступает при превышении ограничений по току и напряжений, показанных пунктирной линией.

Сплошная линия обозначает ограничения, связанные с вторичным необратимым пробоем п/п структуры транзистора. Во всех режимах работы линии нагрузки транзистора (зависимости IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE) не должны превышать обозначенных ограничений.

Рис. 10. Ограничение величины рассеиваемой мощности (нагрузки) транзистора при возрастании температуры окружающей среды Ta.

Характеристика снята для условий работы на резистивную нагрузку.

Рис. 11. Область безопасной работы транзистора с обратным смещением для случая с введенными ограничениями перенапряжений.

Предельное ограничение по напряжению (перенапряжению) UCLAMP = 700 В.

Величины напряжений обратного смещения UBE(OFF) соответственно 9 В, 5 В, 3 В и 1,5 В.

Характеристики построены для температуры структуры в пределах 100°С и при токе базы IB1 = 1 А.

Такая ОБР с обратным смещением характерна для схем работы транзистора на индуктивную нагрузку.

В этих режимах работы, линии нагрузки транзистора (зависимости IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE) не должны превышать обозначенных ОБР ограничений.

Добровольный сертификат соответствия на резистор

Также Вы можете оформить Добровольный Сертификат. Исходя из названия, данный сертификат оформляется в добровольном порядке, но преимущество его заключается в том, что благодаря данному документу Вы легко повысите конкурентоспособность Вашей техники.

Для запуска процедуры сертификации/ декларирования Вам потребуется предоставить в наш центр следующую информацию:

  • уставные/регистрационные документы: Свидетельство о постановке на учет в налоговом органе (ИНН), основной государственный регистрационный номер, устав ООО. Если Вы Индивидуальный Предприниматель, то достаточно ИНН и ОГРНИП;
  • договор аренды/субаренды на помещение или документ подтверждающий о праве собственности на помещение (в случае, если Вы являетесь российским производителем);
  • норматив, на основании которого производите товар (Государственный Стандарт, или Технические Условия);
  • договоры поставки (это могут быть контракты, договоры на уполномоченное лицо на поставку товара, которое представляет интересы производителя, инвойс, доверенность);
  • возможное наличие СМК (системы менеджмента качества);
  • реквизиты организации-производителя, или заявителя;
  • заявка с подробным указанием сведений об изделии.

Наш центр сертификации сделает все необходимые документы под ключ и также предоставит Вам услуги по разработки этикеток на продукцию и поможет зарегистрировать штрих-код.

Мы предоставим Вам бесплатную консультацию по интересующим вопросам и поможет оформить сертификат, декларацию, либо добровольный сертификат на любую Вашу продукцию по доступным ценам и в удобные для Вас сроки.

Зарубежное производство

Аналоги транзистора E13003 (MJE13003).

ТипPC, ВтUCB, ВUCE, ВUBE, ВIC, АUCE(sat), ВTj , °СfT , МГцhFEton / ts / tf, мксКорпус
MJE1300340700400920,615045…40– / 3,5 / 1TO-126
3DD19104070040092,51150515…301 / 5 / 0,8TO-126A
3DD13005A740800400930,6150515…351 / 5 / 1TO-126F
WBR13005D140700400941150410…40– / 3,6 / 1,6TO-126
BTN3A60T340900700930,6150410…40–TO-126
HLD133D35700400921150–5…40– / 4 / 0,8TO-126
ST13007DFP3670040098315048…40– / 2,2 / 0,15TO-220FP
BUL310FP361000500951,1150–10– / 1,8 / 0,5TO-220FP

Аналоги транзисторов 13003BR (MJE13003BR) и 13003T (KSE13003T).

ТипPC, ВтUCB, ВUCE, ВUBE, ВIC, АUCE(sat), ВTj , °СfT , МГцhFEton / ts / tf, мксКорпус
MJE13003BR30600400920,85150–5…40– / 3 / 0,8TO-126
BLD123D30600400920,9150–5…40– / 4 / 0,8TO-126
KSE13003T3070040091,5315045…401,1 / 4 / 0,7TO-220
FJPE33053070040094115048…400,8 / 4 / 0,9TO-220F
KSH13005AF3070040094115048…600,8 / 4 / 0,9TO-220F
MJE13005AF30800400105115048…350,15 / 5 / 0,8TO-220IS
MJE13005F30700400941150410…350,8 / 4 / 0,9TO-220IS
STD13005F/FC3070040094115048…400,8 / 4 / 0,9TO-220F-3L
STL128DFP30700400–41,5150–10…32– / 0,6 / 0,1TO-220FP
TS13005CI3070040094115048…400,7 / 3 / 0,5ITO-220
TSC236CI30700400941,3150–8…320,5 / 3 / 0,5ITO-220
BUL128FP31700400941,5150–10…45– / 2,9 / 0,4TO220FP

Примечание: данные таблиц получены из даташип компаний-производителя.

Какие документы необходимы для реализации?

В зависимости от напряжения и мощности на резисторы будет оформляться либо декларация соответствия, либо добровольный сертификат в системе ГОСТ Р, либо отказное письмо о том, что данная продукция не подлежит обязательной сертификации, либо декларированию.

На устройства с мощностью от 50 В и до 1500 В оформляется в соответствии с регламентом ТРТС 004/2021 (регламенты о безопасности низковольтного оборудования).

На остальные с меньшей мощностью будет оформляться отказное письмо или добровольный сертификат в зависимости от нужд производителя/заказчика.

Производитель (или заказчик) резисторов подлежащих декларированию, в обязательном порядке должен оформить данный документ для возможности в дальнейшем реализовывать свой товар на территории Российской Федерации и стран Таможенного Союза.

Перед тем, как переходить к процедуре декларирования, производителю находящемуся на территории Российской федерации необходим норматив в соответствии с которым будет производиться данная продукция.


Получить бесплатную консультацию

Это может как ГОСТ (государственный стандарт), так и ТУ (Технические Условия). Только после того, как у Вас будет данный норматив разработан, вы сможете переходить к декларированию. Наш центр сертификации поможет оформить Технические Условия, либо подберет Вам необходимый Государственный Стандарт.

Также если Вы будете работать с крупными заказчиками и распространять продукцию в крупных сетевых магазинах, мы рекомендуем вам зарегистрировать ТУ(в добровольном порядке)

Если Ваша компоненты импортируется на территорию Российской Федерации, то разработка норматива – не требуется. Достаточно только договора и инвойса.

Корпус и цоколевка

Выводы:

  • TO-92(NL) – 1 Эмиттер, 2 Коллектор, 3 База.
  • TO126(C/S), TO-251/252 – 1 База, 2 Коллектор, 3 Эмиттер.

Модификации (версии) транзисторов серии 13003

Конструктивное исполнение — TO-92. Ta = 25°C.

Тип, маркировка на корпусе PC, ВтUCB, ВUCE, ВIC, АUCE(sat), ВВременные параметры ton / ts / tf мкс
TS13003HU
Маркировка TSC13003H		0,59005301,51– / 4 / 0,7
3DD13003S1D
3DD13003V1D		0,83502001,50,451 / 4,5 / 1
3DD13003ULD0,83502001,80,41 / 4,5 / 1
13003DE0,86004001,30,221 / 5 /1
13003DF / DH0,86004001,50,31 / 5 /1
3DD13003H1D0,86004001,80,251 / 5 /1
BU13003D0,87004001,50,60,7 / 2,5 /0,9
APT13003LZ
Маркировка 13003LZ-G1		0,87004500,80,5–
3DD13003B0,97004001,50,8– / 4 / 0,7
CS130030,970048010,5–
13003DW135020020,211 / 4,5 / 1
MJE13003LF1
MJE13003VF1		14002001,20,8– / 4 / 0,6
MJE13003VG114002001,50,6– / 3,5 / 0,6
MJE13003VH1140020021– / 3,5 / 0,6
MJE13003VI114002002,51,3– / 3,5 / 0,6
MJE13003VK1
BR3DD13003VK1K
Маркировка BR13003V		140020031,5– / 3,5 / 0,6
MJE13003G1 / F116004000,750,5– / 3,5 / 0,6
MJE13003H116004001,20,8– / 3,5 / 0,6
MJE13003DG116004001,30,5– / 3,5 / 0,6
MJE13003DI1 / I116004001,50,8– / 3,5 / 0,6
MJE13003DK116004001,750,5– / 4 / 0,5
MJE13003B170040011– / – / 0,3
MJE13003M117004001,80,8– / 4 / 0,8
R13003F1
MJE13003E1		17004500,5 (0,45)0,5– / 4 / 0,6
13003ADA17004501,50,18– / 4 / 0,7
13003BS180045020,82 / 5 / 2
13003EDA18505001,30,21 / 5 / 1
SBN13003HB1850850 (530)111 / 4 / 0,7
MJE13003T1
MJE13003J1G		19005301,51– / 6 / 1,2
MJE13003L119005301,50,8– / 5 / 1,2
CSL13003
TSL13003		1,16004001,511,1 / 4 / 0,7
SBN13003A11,1 (1,14)7004001,51 0,25 / 1,32 / 0,23
STD13003Q
FJN13003
MJE13003A
MJE13003D-P
MJE13003E
KSB13003AR
KSB13003A
KSB13003ER		1,17004001,511 / 4 / 0,7
R13003F11,17004500,5 (0,45)0,5– / 4 / 0,6
MJE13003E1
APT13003SZ
Маркировка 13003SZ-G1		1,17004501,30,61 / 3 / 0,5
APT13003DZ
APT13003EZ
Маркировка 3003DZ		1,17004501,50,41 / 3 / 0,4
KSB13003CB
KSB13003C		1,18004501,50,51,1 / 4 / 0,7
APT13003HZ
Маркировка 13003HZ-G1		1,18004501,50,41 / 3 / 0,4
KSB13003H1,19005301,50,81,1 / 4 / 0,7
13003DF1,256004001,50,31 / 5 / 1
13003DH1,256004001,80,31 / 5 / 1
STX13003
Маркировка X13003		1,5700400111 / 4 / 0,7
TS13003CT
TS13003BCT
Маркировка TSC13003B		1,57004001,511 / 4 / 0,7
ST13003H1,59005001,511 / 4 / 0,7
TS13003HV1,59005301,511,1 / 2 / 0,4
PHE13003A2,17004001––
PHD13003C
PHE13003C		2,17004001,5––
TS13003MVCT
Маркировка TSC13003H		5,88004001,50,81 / 4 / 0,6
WBN13003B2D156004001,20,31 / 4 / 0,4
WBN13003A1186004001,20,8– / 4 / 0,7
WBN13003B186004001,50,50,2 / 1,5 / 0,15
Про сертификаты:  Декларация соответствия техническому регламенту

Конструктивное исполнение ТО-126 (D/F/S). Tc = 25°C.

Тип транзистораPC, ВтUCB, ВUCE, ВIC, АUCE(sat), ВВременные параметры ton / ts / tf мкс
13003DE0,86004001,30,221 / 4 / 1
MJE13003HT1,385050010,5–
3N13003GP
BD13003B		1,57004001,50,61 / 4 / 0,5
MJE13003D-P1,57004001,511 / 4 / 0,7
P130031270040010,60,7 / 3,5 / 0,9
H13003H129006001,60,61 / 3,0 / 0,8
S13003AD-H158005001,60,61 / 3,5 / 0,8
WBR13003B31860045010,30,2 / – / 0,15
J13003187004001,20,60,7 / 4 / 0,9
WBR13003LD2035020030,5– / 4 / 0,8
MJE13003LF5204002001,20,8– / 4 / 0,6
MJE13003VH52040020020,5– / 3,5 / 0,6
MJE13003VI5204002002,50,5– / 3,5 / 0,6
MJE13003VK52040020030,5– / 3,5 / 0,6
MJE13003F6206004000,50,5– / 4 / 0,6
MJE13003F5206004000,80,5– / 4 / 0,6
MJE13003BR2060040010,3– / 2,4 / 1
WBR13003B2
WBR13003B2D		206004001,20,30,2 / – / 0,18
WBR13003X206004001,20,8– / 4 / 0,7
WBR13003B1206004001,21,61 / 5 / 1
S13003206004001,50,60,7 / 2,5 / 0,9
WBR13003206004001,50,18– / 4 / 0,7
13003207004001,50,51 / 4 / 0,7
13003D207004001,51,31 / 4 / 0,7
KSE13003207004001,511,1 / 4 / 0,7
MJE13003E207004001,52,50,5 / 2 / 0,4
P13003D207004001,50,60,7 / 2,5 / 0,9
SBR13003BD207004001,50,20,2 / 1,5 / 0,15
APT13003SU
Маркировка EU13003S/GU13003S		207004501,30,61 / 3 / 0,5
13003ADA207004501,50,18– / 4 / 0,7
APT13003DU
Маркировка GU13003D		207004501,50,40,7 / 3 / 0,35
APT13003EU
Маркировка EU13003E/GU13003E		207004651,50,290,3 / 1,8 / 0,28
APT13003HU
Маркировка GU13003H		208004651,50,40,3 / 1,8 / 0,28
13003BS2080045020,82 / 5 / 2
13003EDA208505001,30,21 / 5 / 1
KSC13003H209005301,511,1 / 4 / 0,7
SBR13003H209005301,510,25 / 1,32 / 0,23
MJE13003HV209005301,52,51,1 / 3 / 0,7
S13003DL2240020030,60,7 / 2,5 / 0,9
13003A-D227004001,80,60,7 / 2,5 / 0,9
13003A227004001,80,60,7 / 2,5 / 0,9
S13003A227004001,80,60,7 / 2,5 / 0,9
H13003AH228807002,50,60,5 / 3,5 / 0,5
S13003ADL254002003,50,61 / 2,5 / 0,9
13003F
BU13003F
S13003AD		2565040020,61 / 3,1 / 0,8
SBR13003B1257004001,50,50,2 / 1,5 / 0,15
H130032665040020,60,9 / 3,3 / 0,9
H13003D2665040020,60,5 / 3,3 / 0,5
H13003ADL2840020040,60,6 / 2,9 / 0,6
H13003AD287004002,30,60,8 / 3,5 / 0,8
H13003DL2940020040,60,3 / 3 / 0,3
H13003VG5304002001,50,6– / 4 / 0,6
MJE13003G5/G6306004000,750,5– / 3,5 / 0,6
NJM13003-1.63306004001,50,35– / 3 / 0,8
WBR13003306004001,50,50,2 / 1,5 / 0,3
MJE13003BR3060040020,35– / 3 / 0,8
MJE13003DG5307004001,30,5– / 3 / 0,8
SBR13003B307004001,50,50,2 / 1,5 / 0,15
TS13003307004001,510,5 / 2 / 0,4
MJE13003HN63014008001,50,6– / 6 / 4
3DD13003U6D353502001,50,451 / 4,3 / 1
3DD13003V6D353502001,80,41 / 4,5 / 1
13003DW3535020020,211 / 4,5 / 1
13003C357004002––
WBR13003L2403502001,50,8– / 3 / 0,8
3DD13003W6D4035020020,41 / 4,5 / 1
MJE13003H5/H6406004001,20,8– / 3,5 / 0,6
3DD13003E6D406004001,30,41/ 4/ 1
MJE13003I6406004001,50,8– / 3,5 / 0,6
C13003406004001,511 / 4 / 0,7
WBR13003D4060040021,6– / 3 / 0,8
CR13003407004001,511 / 4 / 0,7
MJE13003407004001,510,5 / 2 / 0,4
SBR13003A407004001,50,5 0,2 / 1,5 / 0,15
SBR13003D407004001,51,6– / 3 / 0,8
MJE13003DJ5408004801,50,8– / 3,5 / 0,6
CD13003
CD13003D		456004001,511,1 / 4 / 0,7
13003E457004002,5––
MJE13003VN55040020050,6– / 4 / 0,6
13003DF
13003DH
3DD13003F6D		506004001,50,31 / 5 / 1
MJE13003DK5506004001,750,9– / 4 / 0,8
3DD13003H6D506004001,80,251 / 5 / 1
3DD13003K6507004001,8––
3DD13003I6D
3DD13003I7D		5070040020,51 / 5 / 0,8
3DD13003N55070040020,8– / 6 / 0,8
MJE13003DN55070040020,6– / 6 / 0,8
3DD13003X15070040020,31 / 4,5 / 2
3DD13003D507004002,50,51 / 5 / 0,8
MJE13003M5/M6507004501,80,8– / 4 / 0,8
MJE13003HK5509005301,20,8– / 5 / 1,2
MJE13003L5/L6509005301,50,8– / 6 / 1,2

Конструктивное исполнение ТО-220 (AB/HW/F). Tc = 25°C (если не указано иное).

Тип, маркировка на корпусе PC, ВтUCB, В UCE, ВIC, А UCE(sat), ВВременные параметры ton / ts / tf мкс
ST130031,56004001,511 / 4 / 0,7
SBP13003207004001,50,5– / 4 / 0,8
13003B2865040020,60,5 / 3,3 / 0,5
13003AD307004002,30,60,8 / 3,5 / 0,8
KSE13003T
KSH13003H		307004001,50,51,1 / 4 / 0,7
SBP13003H309005301,50,5 0,2 / 1,32 / 0,23
HMJE13003E357004001,50,5–
WBP13003D4060040020,5– / 4 / 0,8
MJE13003D407004001,50,51 / 4 / 0,7
SBP13003D407004001,50,5– / 4 / 0,8
SBP13003O407004001,50,5– / 4 / 0,3
XW13003-220456004001,5––
BR3DD13003VK7R
Маркировка BR13003V		5040020030,5– / 3,5 / 0,6
MJE13003VK75040020030,5– / 3,5 / 0,6
MJE13003VN75040020050,6– / 4 / 0,6
MJE13003I7506004001,50,8– / 3,5 / 0,6
MJE13003K7
MJE13003K8		506004001,50,9– / 4 / 0,8
MJE13003DK7506004001,750,9– / 4 / 0,8
CDT13003506004001,80,51,1 / 4 / 0,7
MJE13003M7
MJE13003M8		507004001,80,8– / 4 / 0,8
MJE13003N85070040020,8– / 6 / 0,8
3DD13003M8D606004001,80,251 / 5 / 1
3DD13003K8607004001,80,31 / 5 / 1
3DD13003J8D6070040020,51 / 4 / 1
3DD13003M8D6070040020,51 / 4 / 1

Конструктивное исполнение ТО-251. Tc = 25°C (если не указано иное).

Тип, маркировка на корпусеPC, ВтUCB, ВUCE, ВIC, АUCE(sat), ВВременные параметры ton / ts / tf мкс
MJE13003HT1,085050020,5–
MJE13003K3107004501,50,9– / 4 / 0,8
13003ADA107004501,50,18– / 4 / 0,7
13003BS1080045020,82 / 5 / 2
13003EDA108505001,30,21 / 5 / 1
MJD13003157004001,50,51 / 4 / 0,7
SBU13003BD207004001,50,61 / 3 / 0,4
STD13003207004001,50,91 / 4 / 0,7
APT13003DI247004501,50,30,7 / 3 / 0,35
ALJ13003
ALJ13003-251		256004001,20,8– / 6 / 1
KSU13003E
KSU13003ER		257004001,50,51,1 / 4 / 0,7
MJE13003K257004001,50,51 / 4 / 0,7
MJE13003P257004001,50,51 / 4 / 0,7
KSU13003H
KSU13003HR		2590053020,81,1 / 4 / 0,7
3DD13003U3D303502001,80,41 / 4,5 / 1
MJE13003VK33040020031,5– / 3,5 / 0,6
3DD13003F3D306004001,50,31 / 4,5 / 1
MJE13003DK3307004001,750,9– / 4 / 0,8
MJE13003DI3308004801,50,8– / 3,5 / 0,6
13003DW3535020020,211 / 4,5 / 1
3DD13003W3D3535020020,41 / 4,5 / 1
3DD13003H3D356004001,80,251 / 5 / 1
HI13003407004001,50,5–
MJE13003M3407004001,80,8– / 4 / 0,8
MJE13003H3407004501,20,8– / 3,5 / 0,6
MJE13003L3409005301,50,8– / 6 / 1,2
13003DH506004001,80,31 / 5 / 1
MJE13003I506004001,50,8– / 3,5 / 0,6
Про сертификаты:  Важное из обновления 14.04.21 - Black Desert Online - база данных

Конструктивное исполнение ТО-252. Tc = 25°C (если не указано иное).

Тип, маркировка на корпусеPC, ВтUCB, ВUCE, ВIC, АUCE(sat), ВВременные параметры ton / ts / tf мкс
MJE13003HT1,085050020,5–
CZD130031,257004001,51– / 2,5 / 0,5
DXT13003DK
Маркировка 13003D		3,97004501,50,30,35 / 2,3 / 0,21
DXT13003EK
Маркировка 13003E		3,97004601,50,30,43 / 1,64 / 0,28
WBD13003D1060040020,5– / 4 / 0,8
HJ13003157004001,5––
STD13003D157004001,50,51,1 / 4 / 0,7
CJD13003157004001,50,51,1 / 4 / 0,7
STD13003207004001,50,51 / 4 / 0,7
KSD13003E
KSD13003ER		257004001,50,51,1 / 4 / 0,7
MJE13003K257004001,50,51 / 4 / 0,7
MJE13003P257004001,50,51 / 4 / 0,7
KSH13003
KSH13003I		407004001,50,51,1 / 4 / 0,7
MJE13003K4506004001,50,9– / 4 / 0,8

Конструктивные исполнения ТО-826, SOT23, SOT223, SOT89, LSTM. Tc = 25°C (если не указано иное).

PC, ВтUCB, ВUCE, В IC, АUCE(sat), ВВременные параметры ton / ts / tf мксТип, маркировка на корпусе
0,53502001,50,451 / 3,5 / 13DD13003SUD
Корпус SOT23, TO89S
0,53502001,50,451 / 4 / 13DD13003SUD
Корпус SOT23, TO89S
0,57004001,50,6– / 4 / 0,53DD13003/A/C/E/F
Корпус SOT89
0,96004001,510,4 / 1,4 / 0,2TTC13003L, LSTM
Маркировка 13003L
1,06004000,50,5– / 4 / 0,6MJE13003FT, SOT89
Маркировка H03F
1,257004501,511 / 4 / 0,7PZT13003
3,07004501,30,40,7 / 3 / 0,35DXT13003DG
Маркировка 13003D
206004001,50,60,7 / 2,5 / 0,9S13003, TO826
207004000,51,2– / 2,5 / 0,18ST13003N, SOT32
Маркировка 13003N
207004000,51,2– / 2,5 / 0,18 ST13003DN, SOT32 Маркировка 13003DN
227004001,80,60,7 / 2,5 / 0,9S13003A
2565040020,612 / 3,1 / 0,8S13003AD
2665040020,60,5 / 3,3 / 0,5H13003D
287004002,30,60,8 / 3,5 / 0,8H13003AD
407004001,511 / 4 / 0,7ST13003D-K, SOT32
Маркировка 13003D
407004001,511 / 4 / 0,7ST13003K, SOT32
Маркировка 13003
407004001,511 / 4 / 0,7STK13003, SOT82

Примечание: данные таблиц получены из даташип компаний-производителя.

Области применения

  • Импульсные регуляторы и инверторы.
  • Устройства управления двигателями, соленоидами и реле.
  • Отклоняющие системы в телеаппаратуре.

Отечественное производство

Транзисторы, близкие по параметрам к серии 13003 (MJE13003).

ТипPC, ВтUCB, ВUCE, ВUBE, ВIC, АUCE(sat), ВTj , °СfT , МГцhFEton / ts / tf, мксКорпус
MJE1300340700400920,615045…40– / 3,5 / 1TO-126
КТ8170А4070040092,25315045…401,1 / 4 / 0,7TO-126
КТ859А408008001031,5150˃ 3,3˃ 100,35 / 3,3 / 0,35TO-220AB
КТ841А/В50600/8003505101,51501012…450,08 / 0,8 / 0,2TO-3
КТ8118А50900800–3˂ 2,0150˃ 1510…40–TO-220
КТ8120А6060045058115020˃ 10– / 2 / 0,2TO-220
КТ840А/Б/В60900/750/800400/350/375560,61508…1510…600,2 / 3,5 / 0,6TO-3
КТ868А/Б70900/750400/375561,5150˃ 810…100–TO-3PML

Предельные эксплуатационные характеристики

ХарактеристикаОбозначениеВеличина
Напряжение коллектор – база транзистора, ВUCBO700
Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, ВUCEO (SUS)400
Напряжение эмиттер – база транзистора, ВUEBO9
Ток коллектора постоянный, АIC1,5
Ток коллектора импульсный, АICM 3
Ток базы постоянный, АIB0,75
Ток базы импульсный, АIBM1,5
Рассеиваемая мощность, ВтTa = 25°CTO-126, TO-126C, TO-126SPC1,4
TO-92, TO-92NL1,1
TO-251, TO-2521,56
Tc = 25°CTO-126, TO-126C, TO-126S20
TO-92, TO-92NL1,5
TO-251, TO-25225
Предельная температура полупроводниковой структуры, °СTj150
Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С°Tstg-55… 150

Предназначение

Прибор разработан для высоковольтных и высокоскоростных силовых переключений в индуктивных цепях, где критичной является величина времени спадания импульса коллекторного тока. Эти транзисторы хорошо подходят для работы в ключевых режимах в цепях 115 и 220 В.

Процедура оформления

Декларируется продукция путем проведения испытаний предоставленных образцов. По результатам испытания оформляется протокол испытания, где будет отображена вся информация о безопасности продукции и соответствия её регламентам.

Далее на основании данного протокола уже оформляется разрешительный документ (Декларация). И после Вы уже сможете наносить маркировку на резисторы. Эти маркировки указывают потребителю на тот факт, что Ваша продукция соответствует всем стандартам и является качественным продуктом.

Разрешительный документ выдаётся на срок от года и до 5 лет (без ограничений, только на партию или единичный выпуск). В дальнейшем вся информация по товару будет занесена в единый реестр Росаккредитации. Информация находится в свободном доступе и любой желающий может с ней ознакомиться.

Схемы тестирования временных параметров транзистора

Диаграмма входного сигнала.

Схема измерения при резистивной нагрузке.

Параметры режима:

  • UCC = 125 В.
  • RC = 125 Ом.
  • RB = 47 Ом.
  • D1 диод 1N5820 или подобный.
  • SCOPE – осциллограф “Tektronics 475” или подобный.
  • tr, tf ˂ 10 нс; скважность ≤ 1%.

Схема измерений с параметрами элементов при индуктивной нагрузке транзистора.

  • Входной сигнал: прямоугольный импульс с амплитудой 5 В и протяженностью фронтов tr и tf не более 10 нс. Скважность импульсов 10%.
  • Протяженность импульса подбирается из требуемой величины коллекторного тока IC.
  • UCC подбирается из требуемой величины IC.
  • RB подбирается из требуемой величины IB1.
  • Диод MR826 выбирается на напряжение 1 кВ.
  • Напряжение ограничения UCLAMP = 300 В.

Диаграммы выходных токов и напряжений.

На рисунке:

  • tf CLAMPED – время спадания импульса тока при ограничении напряжения на уровне UCLAMPED.
  • IC(PK) максимальное достижимое значение тока, по которому подбираются значение UCC и длительность входного импульса.

Расчетные формулы: t1 = L × IC(PK) / UCC; t2 = L × IC(PK) / UCLAMP.

Характерные особенности

Представлены области безопасной работы с обратным смещением при индуктивной нагрузке и температуре корпуса транзистора TC = 100°C.

Типичные диапазоны параметров индуктивных переключений: диапазон тока коллектора – 0,5…1,5 А; температура корпуса 25°С и 100°С; типичное время коммутационного процесса tC = 290 нс при токе 1 А и температуре 100°С.

Выдерживаемые напряжения до 700 В.

Электрические параметры

ХарактеристикаОбозначениеПараметры при измеренияхЗначения
Рабочее напряжение коллектор-эмиттер, В ٭UCEO(SUS) IC = 10 мА, IB = 0 А.400
Ток коллектора выключения, мА ٭Ta = 25°CICEOUCEO = номинальное значение,
UBE(OFF) = 1,5 В		1
Tc = 25°C5
Ток эмиттера выключения, мА ٭IEBOUEB = 9,0 В, IC = 01
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В ٭UCE(sat)IC = 0,5 А, IB = 0,1 А0,5
IC = 1,0 А, IB = 0,25 А1
IC = 1,2 А, IB = 0,4 А3
IC = 1,0 А, IB = 0,25 А, Tc = 100°C1
Напряжение насыщения база-эмиттер, В ٭UBE(sat) IC = 0,5 А, IB = 0,1 А1
IC = 1,0 А, IB = 0,25 А1,2
IC = 1,0 А, IB = 0,25 А, Tc = 100°C1,1
Статический коэффициент усиления по току ٭ hFE (1) UCE = 5,0 В, IC = 0,4 А14….57
hFE (2)UCE = 5,0 В, IC = 1,0 А5…30
Выходная емкость коллектора, pFCobUCB = 10 В, IE = 0, f = 0,1 МГц21
Частота среза, МГцfTUCE = 10 В, IC = 0,1 А10
Временные параметры транзистора при работе на резистивную нагрузку
Время задержки, мксtdСм. схему измерения временных параметров: UCC = 125 В, IC = 1 А, IB1 = IB2 = 0,2 А, tp = 25 мкс, скважность импульсов ≤ 1%0,05
Время нарастания импульса тока, мксtr0,5
Время сохранения импульса, мксts2
Время спадания импульса тока, мксtf0,4
Временные параметры транзистора при работе на индуктивную нагрузку с ограничениями напряжений
Время сохранения импульса, мксtsIC = 1 А, UCLAMP = 300 В, IB1 = 0,2 А, UBE(OFF) = 5 В, Tc = 100°C.1,7
Коммутационный промежуток, мксtc0,29
Время спадания импульса тока, мксtf0,15

٭ — определено в импульсном режиме: длительность импульса = 300 мкс, скважность импульсов ≤ 2%.

Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C, если не указано иное.

Tранзисторы (Всё что Вы хотели знать Длиннопост Как это сделано маркировка но боялись спросить) Ремонт техники Транзистор Устройство
Оцените статью
Мой сертификат
Добавить комментарий

© 2025 Мой сертификат